# HBM
韩国存储芯片巨头SK海力士公布2026年第一季度财报，实现创纪录的营收和利润，尽管营收略低于预期，但运营利润与市场预估基本持平。一季度营收达52.58万亿韩元（约合355.5亿美元），同比增长近三倍；运营利润为37.61万亿韩元，同比增长五倍，运营利润率创历史新高，达72%。公司称，尽管一季度通常为淡季，但AI基础设施投资扩大推动需求持续强劲。SK海力士作为高带宽内存（HBM）主要供应商，受益于人工智能数据中心需求激增，并在HBM市场占据57%份额。然而，三星电子已开始向客户出货最先进的HBM4芯片，试图缩小差距。市场分析指出，存储芯片短缺可能持续至2030年，半导体制造产能紧张，氦气等...
据Nikkei Asia报道，尽管内存制造商正加速提升DRAM产能，但预计至2027年底仅能满足60%的市场需求。SK集团董事长表示，短缺可能持续至2030年。三星、SK海力士和美光三大厂商虽在扩建晶圆厂，但新产能最早要到2027年甚至2028年才能上线，且主要聚焦于高带宽内存（HBM）生产，用于人工智能数据中心，对消费电子设备的普通DRAM供应帮助有限。Counterpoint Research数据显示，2026至2027年产能年增需达12%方能满足需求，但实际规划仅7.5%。手机、笔记本、VR设备及游戏掌机等产品因内存短缺已出现涨价。
2025年中国半导体企业营收创纪录，主要受人工智能（AI）需求增长、存储芯片短缺及美国技术出口限制推动。中芯国际（SMIC）2025年营收达93亿美元，同比增长16%；华虹半导体第四季度营收达6.599亿美元，创纪录；摩尔线程预计2025年营收同比增长231%至247%。长鑫存储（CXMT）营收同比增长130%至逾550亿元人民币。美国对华芯片出口限制加速了中国本土技术自给自足进程，促使国内企业采购国产替代芯片，尽管性能尚落后。专家指出，中国半导体产业虽在多个细分领域取得进展，但在高端制程和先进设备方面仍依赖进口，面临技术追赶和潜在产能过剩风险。
韩国半导体企业SK海力士已向美国证券交易委员会（SEC）秘密提交Form F-1文件，计划于2026年下半年在美上市，预计募资100亿至140亿美元。此举旨在提升公司估值，缩小与美国同行的估值差距，并为应对AI驱动的内存需求扩张提供资金支持。SK海力士CEO诺俊奎在3月25日年度股东大会上表示，公司将瞄准约750亿美元（超100万亿韩元）的净现金储备以支持长期投资。公司还计划在2050年前投资约4000亿美元在韩国永仁建设半导体集群，并在韩国及印第安纳州新建设施，总投资约283亿美元。此外，SK海力士将于2027年前从ASML采购价值79亿美元的极紫外光刻机，以扩大高带宽内存（HBM）产...
美光科技（Micron）公布最新季度财报，营收达238.6亿美元，较去年同期80.5亿美元增长近三倍，超出市场预期的200.7亿美元。调整后每股收益为12.20美元，高于预期的9.31美元。公司受益于人工智能驱动的内存需求飙升，尤其是英伟达GPU对高带宽内存（HBM）的大量需求。美光预计当前财季营收将达335亿美元，同比增幅超200%。公司GAAP毛利率升至74.4%，净收入达138亿美元。CEO梅赫罗特拉表示，AI与传统服务器面临DRAM和NAND供应不足问题。美光正加速扩产，计划在2027年实现爱达荷州工厂量产，并于2028年下半年启动纽约州1000亿美元园区的晶圆产出。股票年初至今...
美光科技（Micron Technology）股价2025年翻三倍，2026年迄今上涨近62%，市值达5200亿美元，超越甲骨文（Oracle）成为美国科技股市值第五大公司。其业绩增长得益于人工智能芯片需求激增引发的内存短缺，NVIDIA等企业大量采购GPU带动对高带宽内存（HBM）的需求。分析机构预计美光第二财季营收同比增148%，毛利率或超71%。同时，内存短缺正推高PC和智能手机成本，IDC下调2026年PC销量预测至下降11.3%，手机出货量预计下滑12.9%。美光正扩大产能，包括在纽约州建厂及在印度设立封装测试设施。
受人工智能（AI）需求激增影响，内存行业正经历结构性转变，过去数十年的繁荣-萧条-重复循环模式被打破。美光（Micron）股价一年内上涨超370%，闪迪（SanDisk）上市仅一年股价飙升逾1100%。行业高管表示，供需严重失衡，价格短期内无下降迹象。HPE首席执行官安东尼奥·内里称“供应无法满足需求”，希捷高管称涨价或成“新常态”。SK海力士、美光、博通等企业均表示客户转向长期供应协议，Meta亦担忧高带宽内存（HBM）供应，但认为已锁定所需资源。分析师指出，AI算力需求推动内存架构变革，消费者市场供应被大型云服务商挤占，行业或进入新纪元，2027年前难见缓解。