全球内存短缺或持续至2030年 三大厂商产能扩张难解燃眉之急
据Nikkei Asia报道，全球内存市场面临长期供应不足，尽管供应商正加速提升DRAM产能，但预计至2027年底仅能满足60%的市场需求。SK集团董事长更指出，短缺局面可能延续至2030年。
世界三大内存制造商——三星、SK海力士和美光——均在推进新增晶圆厂建设，但新产能最早要到2027年甚至2028年才能投入使用。2026年内，仅SK海力士于2月在清州启用一座新工厂，其余两家暂无新增产能计划。
Nikkei指出，2026至2027年产能需年均增长12%才能满足需求，但Counterpoint Research数据显示，实际规划增幅仅为7.5%。新增产能主要聚焦于高带宽内存（HBM），用于人工智能数据中心，而非普通消费电子设备所用的DRAM。
由于制造商优先生产HBM，消费电子市场的DRAM供应紧张难解。手机、笔记本电脑、VR头显及游戏掌机等产品已因内存短缺出现显着涨价。
目前，全球半导体供应链正面临结构性失衡，AI需求激增与消费电子复苏叠加，加剧了内存供需矛盾。
编辑点评
此次内存短缺并非短期波动，而是结构性产能错配的结果。三大内存厂商将有限的扩产资源集中于HBM，反映了全球技术趋势向人工智能与数据中心倾斜，但这一战略选择也加剧了消费电子市场的供应紧张，引发广泛涨价。从地缘政治角度看，内存作为关键基础元件，其供应链高度集中于韩国与美国，一旦出现产能不足或贸易限制，将对全球电子产业链产生连锁效应。未来若AI需求持续高增，HBM产能或仍供不应求，而普通DRAM则可能长期面临短缺。这不仅影响消费市场，也可能制约新兴技术如自动驾驶、智能终端的普及。国际供应链需在高阶与基础需求间寻求更平衡的发展路径，避免技术红利被供应链瓶颈所抵消。