台积电宣布2029年起量产1.3纳米级半导体
台湾台积电（TSMC）于2026年4月23日宣布，将于2029年开始量产电路宽度达到1.3纳米级别的下一代半导体芯片。这一技术节点标志着全球半导体制造迈向更精细的制程阶段。
台积电表示，1.3纳米级芯片将采用更先进的晶体管架构和材料技术，以提升芯片性能、降低功耗，并支持人工智能、高性能计算和5G通信等前沿应用的进一步发展。
此次宣布是台积电在先进制程路线图中的关键一步，此前该公司已实现3纳米、2纳米的量产，并持续推进1.4纳米及以下节点的研发。1.3纳米技术预计将成为未来十年内全球高端芯片制造的主流标准之一。
业界分析认为，此次量产计划将加剧全球半导体制造的技术竞争，同时可能推动相关产业链在材料、设备和封装领域的持续创新。
编辑点评
台积电宣布2029年量产1.3纳米级半导体，标志着全球半导体技术进入新纪元。这一进展不仅体现台积电在先进制程领域的持续领先，也凸显全球对高性能计算、人工智能和量子计算等尖端技术的迫切需求。从国际格局看，半导体已成为地缘政治与科技竞争的核心领域，美国、中国、欧洲等均在加大投资。台积电作为全球最大的晶圆代工企业，其技术路线图直接影响全球供应链稳定性。未来几年，1.3纳米芯片的量产可能引发设备厂商（如ASML）、材料供应商及芯片设计公司的技术迭代加速。同时，中国在先进制程领域的追赶态势可能因技术壁垒进一步加剧，从而影响全球半导体产业的区域布局。此外，量产时间点设定在2029年，也反映出当前半导体制造在光刻、材料和良率等方面的复杂挑战。这一进展对全球科技生态具有长期战略意义，或成为未来十年技术竞争的关键节点。