ASML发布极紫外光刻光源技术突破 可望2030年前提升芯片产能50%
荷兰光刻设备制造商ASML Holding于2026年2月23日宣布，其研发团队已成功将极紫外（EUV）光刻机光源功率从当前的600瓦提升至1000瓦，该技术突破有望使芯片制造效率在2030年前提升50%。
ASML是全球唯一提供商用EUV光刻设备的公司，其设备被台积电、英特尔等全球主要芯片制造商广泛采用。公司首席技术官迈克尔·普里维斯（Michael Purvis）表示，该系统已能在客户实际运行条件下稳定输出1000瓦功率，并非短期演示。该技术将使每台EUV设备每小时处理晶圆数量从目前的220片提升至330片，显著降低芯片单片成本。
技术核心在于将每秒锡液滴数量提升至约10万次，并采用双激光脉冲替代单脉冲进行等离子体成型，从而提升EUV光的生成效率。ASML还表示，该技术路径清晰，未来有望实现1500瓦甚至2000瓦的光源功率目标。
该进展被视为ASML巩固其在先进制程设备领域领先地位的关键一步，同时应对来自美国和中国在半导体设备领域的竞争压力。ASML执行副总裁提恩·范·戈赫（Teun van Gogh）强调，技术目标是确保客户能以更低成本持续使用EUV技术。
编辑点评
此次ASML的技术突破在半导体产业链中具有里程碑意义。EUV光刻是当前7纳米及以下先进制程的核心技术，ASML的垄断地位使其成为全球芯片供应链的‘命门’。此次光源功率提升直接关系到芯片产能与成本，对全球半导体制造商具有重大战略价值。尤其在全球芯片竞争加剧背景下，美国通过《芯片法案》推动本土制造，中国亦加速国产光刻设备研发，ASML的技术领先优势将直接影响全球半导体产业格局。未来若能实现2000瓦光源目标，将极大推动3纳米及更先进制程的商业化进程。该技术进步不仅关乎设备制造商，更将深刻影响从人工智能到高性能计算等前沿科技领域的演进速度。