内存芯片ETF单日吸金11亿美元 创AI投资新高
美国Roundhill Investment公司发行的内存芯片ETF（代码：DRAM）自4月2日上市以来，累计募资超过50亿美元，其中5月7日单日流入资金达11亿美元，创下近期ETF募资纪录。
该ETF追踪全球内存芯片市场，主要持仓包括美光科技（Micron）、西部数据（Sandisk）、韩国SK海力士（SK Hynix）和三星电子（Samsung Electronics）等龙头企业。自上市以来，DRAM连续23个交易日录得资金流入，累计涨幅达70%。据高盛数据，其首月募资规模仅次于三年前比特币ETF上市及iShares的LQD、SPDR的GLD黄金ETF、摩根大通的BBCA基金等标志性产品。
Roundhill首席执行官戴夫·马扎（Dave Mazza）表示，内存芯片已成为人工智能发展的“明确瓶颈”，当前供应短缺预计将延续数年。他指出，美国投资者此前难以直接投资韩国半导体巨头，而通过韩国ETF或通用半导体ETF往往无法获得足够权重或包含不必要资产，DRAM则精准填补了这一缺口。
期权交易市场亦高度活跃，5月7日Cboe交易所挂牌的DRAM期权交易量超过9万份合约，看涨期权买入量几乎是看跌期权的两倍。该ETF已跻身美国上市ETF期权交易量前40名，反映出市场对内存芯片长期价值的高度认可。
编辑点评
该事件标志着全球人工智能产业链投资焦点正从算力芯片向内存芯片转移。内存作为AI训练和推理过程中的关键瓶颈，其短缺问题已从技术层面演变为资本市场共识。DRAM ETF的爆火不仅反映投资者对AI长期需求的信心，更凸显当前全球半导体供应链中韩国企业在内存领域的主导地位——SK海力士和三星电子合计占全球DRAM产能近七成。这一资金潮可能加速半导体产业资本再分配，推动内存技术迭代与产能扩张。同时，该ETF为美国投资者提供了一个绕过地缘风险、直接参与韩国核心科技资产的金融工具，或引发更多针对性ETF产品问世。从长远看，若内存瓶颈持续，将可能重塑全球AI基础设施建设节奏，并对数据中心、云计算等上下游产业产生连锁影响。