日本将在北海道千歳市建设先进半导体研究设施 2028年度目标投产
日本「最先端半导体技术センター」宣布,计划在北海道千歳市新建一座先进半导体研究设施,目标于2028年度投入运营。该设施由拉普达斯(Rapidus)等企业参与建设,旨在推进先进半导体量产。该项目是日本强化半导体产业链自主可控战略的重要一环,获得经济产业省支持,与此前公布的6315亿日元研发经费追加支持相呼应。研究设施将聚焦于下一代半导体技术开发,提升日本在全球半导体竞争中的地位。
# 2028年度
日本「最先端半导体技术センター」宣布,计划在北海道千歳市新建一座先进半导体研究设施,目标于2028年度投入运营。该设施由拉普达斯(Rapidus)等企业参与建设,旨在推进先进半导体量产。该项目是日本强化半导体产业链自主可控战略的重要一环,获得经济产业省支持,与此前公布的6315亿日元研发经费追加支持相呼应。研究设施将聚焦于下一代半导体技术开发,提升日本在全球半导体竞争中的地位。